[정재원 기자] SK하이닉스가 '321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화했다. SK하이닉스는 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과와 개발 단계의 샘플을 공개했다.

업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 발표한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하는 것이 목표다.

SK하이닉스 관계자는 "현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 말했다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다.

데이터를 저장하는 셀을 더 높게 쌓아올려 한 개의 칩으로 기존보다 큰 용량을 구현하면서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 증가했기 때문이다.

SK하이닉스는 이번 행사를 통해 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 SSD와 UFS 4.0도 소개했다.

챗GPT로 촉발된 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 빠르게 처리·저장하기 위해 요구되고 있는 고성능, 고용량 메모리 수요를 겨냥했다.

SK하이닉스는 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수했으며 업계 기술 트렌드를 선도할 방침이다.

최정달 SK하이닉스 부사장(낸드개발담당)은 기조연설에서 "당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획"이라며 "AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.